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三星展示 40Gbps GDDR7 显存:3GB(24Gb)容量,12 纳米 DRAM 制程工艺

三星在首尔举行的2025年度韩国科技节上展示了40Gbps GDDR7显存,容量为3GB(24Gb)。这款显存获得了“总统级表彰”,采用三星12nm DRAM工艺制造,相当于10nm级别。

三星展示 40Gbps GDDR7 显存:3GB(24Gb)容量,12 纳米 DRAM 制程工艺

三星不仅生产40Gbps的3GB GDDR7显存,还在量产28Gbps的3GB模组。有消息称这种模组可能被英伟达用于即将推出的RTX 50系列显卡Super中期升级款。尽管英伟达没有选用速度最快的显存似乎有些奇怪,但实际上这类厂商更倾向于选择已经量产且成熟的方案,以确保供应稳定。

三星的主要竞争对手SK海力士也在积极开发新品。该公司计划在ISSCC 2026上展示其高速DRAM产品阵容,其中包括一款24Gb、速率可达28Gbps的GDDR7显存。据悉,这款显存将采用对称双通道设计,有望突破人们对GDDR7通常预期的32-37Gbps速率。

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