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中国取得新芯片材料第一名，领先于美国同行

2025-11-03 07:33:33 A+A-

随着全球芯片技术的竞争进入新的阶段，芯片技术的竞争已不仅限于工艺，而是全面性的竞争，日前外媒披露一则消息让国人大为鼓舞，那就是在第三代芯片材料方面已居于全球第一，远超欧美同行。

中国取得新芯片材料第一名，领先于美国同行

现有的芯片大多数都是基于硅基芯片技术，而全球都知道硅基芯片技术已日益接近天花板，强如台积电在硅基芯片工艺方面每前进一步都要付出巨大的代价，而且从14纳米工艺以来，台积电、Intel、三星这些芯片制造巨头就已放弃了原来的芯片工艺技术升级路径，而是等效工艺。

尤其是Intel自从10纳米工艺之后，已跟不上台积电的脚步，Intel就曾大力揭露台积电的10纳米及以下工艺都是等效工艺，而且这些工艺技术提升幅度逐渐放缓，从早期的每一代芯片工艺提升三成，到近几代苹果的A系芯片仅能提升一成多。

为此全球在继续挖掘现有的硅基芯片潜力之外，已开始探索新的芯片技术、芯片材料等等，诸如光子芯片、量子芯片等技术的快速推进就是由此而来，而芯片材料也是发展新芯片技术的努力方向之一。

中国取得新芯片材料第一名，领先于美国同行

中国在14纳米工艺之后，受到众所周知的影响，难以获得EUV光刻机，而继续沿着现有的硅基芯片技术发展，对于中国来说面临的难度更大，EUV光刻机牵涉到诸多行业，仅是EUV光刻机就是一条非常庞大的产业链，据悉EUV光刻机需要10万多个部件，需要全球数十个国家的5000多家企业协作，如此中国在EUV光刻机的诸多行业都从零打造可见难度有多大。

为此中国更是积极发展先进芯片技术，在光子芯片、量子芯片技术方面，普遍认为中国已与美国居于第一阵营，双方在你追我赶地发展，由于技术保密的需要，很难说得清到底谁更占优势，毕竟只有这些芯片技术实现大规模商用之后才能真正看锝清。

在芯片材料方面如今则有分析机构指出中国企业已居于全球第一，那就是氮化镓（GaN）这种材料，氮化镓被认为是第三代芯片材料，它如今已得到广泛的应用，特别是在手机行业，氮化镓充电器广为知名。

中国取得新芯片材料第一名，领先于美国同行

在氮化镓材料行业，分析指出中国一家名为英诺赛科（Innoscience）的企业取得全球氮化镓材料市场三成的份额，位居其后的分别是Navitas、PowerIntegrations、EPC，这三家都是美国企业，占有的份额分别是17%、15.2%、13.5%，第四名则是欧洲的infineon(英飞凌）--份额为11.2%。

氮化镓除了在手机充电器上得到应用之外，还在新能源汽车、高铁等新兴科技行业得到广泛应用，正是由于中国在氮化镓材料方面取得的优势，推动了中国在这些新兴领域飞速发展，并且随着对氮化镓的研究不断深入，对民用科技将带来更有力的支持。

氮化镓材料除了在民用科技方面的应用之外，在军工技术方面更是起到巨大的作用，先进预警机、战机的雷达用上氮化镓可以将探测距离增加超过五成，还能应用于微波武器、电子对抗、防空系统、导弹制导等方面。

中国取得新芯片材料第一名，领先于美国同行

如此也就能理解近十年来中国在民用科技以及军工技术的飞速发展了，因为中国在先进芯片材料方面除了氮化镓取得巨大突破之外，还在砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅（SiC）等芯片材料方面取得了巨大的进展，这些新芯片材料的突破支撑了中国诸多科技的飞跃。

(责任编辑：卢其龙 CN070)

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