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海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商

2025-11-12 08:14:06 来源：IT之家 A+A-

金正浩，韩国科学技术院电气工程学系教授，被誉为“HBM 之父”，近日在YouTube频道节目中表示，AI时代的权力正从GPU转向内存。他预测高带宽闪存（HBF）将成为继HBM之后的新战场，并认为英伟达未来可能收购一家内存公司。

海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商

金正浩在全球认可的创新研究中做出了重要贡献，特别是在硅通孔（TSV）、中介层、信号线设计和电源线设计等领域。他认为，随着AI的发展，内存将在其中扮演愈发关键的角色。预计HBF技术将在2026年初取得新进展，并于2027至2028年间正式亮相。

传统硬盘行业正在艰难地向高成本的热辅助磁记录（HAMR）技术转型，而近线固态硬盘凭借其成本效益成为热门替代方案。HBF被视为突破AI集群存储容量瓶颈的关键技术。在AI推理时代，内存容量变得至关重要，键值缓存等技术直接影响AI模型的响应速度。因此，金正浩相信HBF将与HBM并驾齐驱，成为下一代主流内存技术。

HBF与HBM有相似之处，都利用硅通孔技术垂直堆叠多层芯片，但HBF基于NAND闪存构建，在容量和成本上具备显著优势。尽管NAND闪存速度慢于DRAM，但其容量可超过后者10倍。通过堆叠成百上千层，HBF能够满足AI模型的巨大存储需求。

行业巨头已迅速行动。SanDisk与SK海力士已于2025年8月签署谅解备忘录，旨在共同制定HBF技术规范并推动标准化。他们的目标是在2026年下半年发布HBF内存样品，首批采用HBF的AI推理系统预计于2027年初问世。SK海力士在2025年OCP全球峰会上展示了其全新的“AIN Family”存储产品系列，其中包括采用HBF技术的AIN B系列。三星电子也已启动自有HBF产品的早期概念设计工作，希望利用其在高性能存储领域的研发经验，满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求。

金正浩将AI的多层级内存体系比作一个智能图书馆：GPU内的SRAM是桌面笔记，速度最快但容量最小；HBM是旁边的书架，用于快速存取和计算；而HBF则是地下书库，负责存储海量AI知识并持续为HBM输送数据。他预测，未来GPU将同时集成HBM与HBF，形成互补配置，标志着计算与存储融合的新纪元。

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