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消息称英伟达拟自研 HBM 内存 Base Die:3nm 工艺,2027H2 试产

8月19日,据台媒《工商时报》报道,英伟达已启动自家HBM内存基础裸片设计计划。未来,英伟达的HBM内存供应链将结合内存原厂DRAM裸片与英伟达的基础裸片,这可能改变下一代HBM市场竞争格局。

消息称英伟达拟自研 HBM 内存 Base Die:3nm 工艺,2027H2 试产

英伟达自研的HBM基础裸片预计采用3nm工艺制程,计划于2027年下半年开始小规模试产。这一时间点大致对应“Rubin”之后的下一代AI GPU “Feynman”。

随着传输速率和功能要求的提高,从HBM4开始,HBM内存的基础裸片转向逻辑半导体制程。在这方面,英伟达的设计经验比SK海力士等纯存储半导体制造商更为丰富。

通过自研基础裸片,英伟达能够增强其在HBM内存上的议价能力,并引入一系列高级功能。此外,这还能为使用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合选项。

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