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SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

SK集团年度AI峰会在韩国首尔举行,SK海力士社长郭鲁正在主题演讲中公布了该企业的存储路线图。在2026至2028年间,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM4内存,并开始提供定制化HBM解决方案;通用DRAM方面将提供LPDDR5R、标准与集成计算功能的LPDDR6;NAND部分则将见到PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘及UFS 6.0的出现。

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

对于2029至2031年的中期规划,SK海力士预计全面进入HBM5(E)世代;通用DRAM领域将迎来下一代GDDR、DDR6以及晶体管结构上有重大变化的3D DRAM;NAND技术方面,将发展400+层堆叠NAND、PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0。

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

根据SK海力士的设想,未来的定制HBM内存将把协议及其他控制器等组件从XPU芯片转移到HBM的基础裸片(Base Die)上,以此为计算单元腾出更多空间,并减少数据接口方面的能耗。

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

针对AI时代,SK海力士为DRAM内存制定了三大发展方向:通过低功耗高性能来降低总体拥有成本(TCO)的AI-D O、集成计算能力以跨越内存墙的AI-D B、以及扩展应用领域的AI-D E。

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