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三星半导体:CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见

三星电子副总裁 Kevin Yoon 在上周的 GMIF 2025 创新峰会上透露,公司即将推出一系列AI存储产品,包括新一代CXL内存模块和超大容量固态硬盘。

三星半导体已实现CXL 2.0 CMM内存模块的量产,并计划在2026年推出下一代CXL 3.1/PCIe 6.0 CMM-D解决方案。此外,在NAND闪存领域,Kevin Yoon确认将于2026年初推出的PCIe 6.0固态硬盘PM1763将在25W功耗下实现性能翻倍、能效提升60%。对于超大容量产品,三星预计在未来两年内推出256TB级(PCIe 5.0)和512TB级(PCIe 6.0)的EDSFF 1T外形规格型号。

针对介于传统DRAM和NAND之间的内存级存储品类,三星正在研发第七代Z-NAND技术,该技术面向GIDS(GPU主动直接存储)应用场景,可提供远超行业标准的吞吐量表现。

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