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消息称三星电子副会长赴美与英伟达洽谈 HBM3E 12 层产品供应及 HBM4 未来供货方向

三星电子DS部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国,与英伟达就HBM3E 12层产品供应及代工业务进行了一系列洽谈,争取可能的订单。目前,三星正努力向英伟达供应HBM3E 12层产品,并从去年开始积极争取英伟达的质量认证,但被驳回。现在,三星以改进设计的新版本重新申请认证并尝试供货。

近期,三星已成功向AMD MI350X系列AI芯片供应HBM3E 12层产品,这一进展在很大程度上打消了外界对其品质的担忧,也提升了通过英伟达认证的可能性。如果三星顺利获得英伟达订单,将与目前在HBM领域领先的SK海力士以及美国美光展开更为激烈的竞争。

业界普遍推测,全永贤此行还与英伟达方面讨论了第六代HBM(HBM4)的未来供货方向。竞争对手SK海力士和美光已分别在今年3月和6月向客户交付了基于第五代10纳米级DRAM(1b工艺)的HBM4样品,而三星计划凭借采用更先进第六代(1c工艺)DRAM的HBM4产品实现技术反超。

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