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消息称三星 Galaxy S26 Ultra 手机将搭载 LPDDR5X 内存,速率达 10.7 Gbps

8月11日,三星Galaxy S26 Ultra在内存性能方面将有显著提升。据透露,这款手机将采用美光最新的LPDDR5X内存,其速度达到10.7 Gbps,相比S25 Ultra的9.6 Gbps有了明显提高。

消息称三星 Galaxy S26 Ultra 手机将搭载 LPDDR5X 内存,速率达 10.7 Gbps

这一进步得益于美光的1γ DRAM架构,与之前的1β架构相比,新架构在功耗效率和多任务处理能力上均有改进。这使得用户在执行高负载任务时,可以享受到更加流畅的体验,同时不会过度消耗电池电量。

消息称三星 Galaxy S26 Ultra 手机将搭载 LPDDR5X 内存,速率达 10.7 Gbps

虽然日常使用中这种速度提升可能不那么明显,但在对内存带宽要求较高的情况下,比如大型游戏或多任务切换时,优势会非常明显。对于游戏玩家和需要同时运行多个应用程序的用户来说,这是一个重大利好。

三星近年来不断加强其设备的人工智能能力,此次RAM升级将起到关键作用。预计Galaxy S26 Ultra还将搭载骁龙8 Elite 2芯片,结合内存性能的提升,整体性能将远超前代机型。

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