“这次涨价的特别之处在于,我在这个行业这么多年,之前从未见过涨价周期能够持续这么久。”国内一家存储模组厂的员工近日向财联社记者感叹道。
眼下,存储芯片市场正经历一场由AI驱动的、前所未有的全面缺货与涨价潮。这场始于上半年的涨势,进入第四季度非但没有趋缓,反而有进一步加剧的迹象。
有存储产业链人士告诉财联社记者,目前部分存储原厂已经对部分Dram和Flash产线采取暂停报价策略;涨价压力亦已传导至终端市场,小米集团创始人雷军24日在微博上直言,“最近内存涨价实在太多”。
究其原因,此轮涨价的核心驱动力并非简单的周期性波动,而是以HBM为代表的AI需求爆发,正彻底打破存储行业的传统供需平衡。

TrendForce集邦咨询分析师许家源向财联社记者指出,原厂产能正优先分配给高阶ServerDRAM和HBM,从而挤压了传统消费电子所需的DDR4、LPDDR4X等旧制程产品供给,DDR4的紧缺或持续到26年的H1。对于国内厂商而言,许家源认为模组厂已积极储备颗粒及晶圆(wafer)库存,国内存储产业链正试图通过积极囤货和调涨价格,迎接这场结构性景气新时代。
四季度涨势超预期:AI驱动“计划性牺牲”引发供应结构失衡
众所周知,存储行业周期性极强,大涨后往往伴随着低迷。而今年,存储芯片价格的上涨已持续超过半年,进入四季度,其涨势非但没有趋缓,反而因多重因素叠加而进一步加剧。
CFM闪存市场最新报价显示,产业上游成本的急速攀升,DDR4 16Gb 3200现货报价本周已达到13.00美元,较上周暴涨30%;同时,512Gb Flash Wafer价格10月以来累计涨幅也已超过20%。
有存储产业链人士向财联社记者透露,目前原厂的部分Dram和Flash产品已经处于停止报价状态,就算报价,价格有效期也很短,“一天一个价”她说。
许家源则向记者预计,DRAM的整体价格(加计HBM)在第四季度将季增13%-18%。
多位存储从业人士均向记者表示,这种产业链全面上涨如此之长时间的“超级周期”,此前见所未见。
资本市场亦对这轮“超级周期”反应热烈。10月24日,A股存储芯片概念再度爆发,普冉股份(688076.SH)、香农芯创(300475.SZ)强势20%涨停,佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ)等涨超10%。
AI驱动的产能转移引发产品供应的结构性失衡是此轮涨价的核心逻辑。
AI大模型的发展,带动着产业链对于GPU等基础设施的需求。摩根士丹利日前预测,今年科技巨头在AI基础设施上的投入将达到4000亿美元。这创造了存储芯片的海量需求。YoleGroup预计,2025年,主要用于GPU生产的HBM产品的营收预计将接近翻倍,达到约340亿美元;HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率,届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。
而由于HBM所消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多,在总产能有限的情况下,迫使存储巨头们将产能重点转向利润更高的HBM和DDR5。许家源告诉财联社记者,原厂已将产能优先保障生产Server DRAM及HBM。
因此,随着原厂将产能优先转移至火热的高价值产品,DDR4、LPDDR4X等旧制程产品则开始面临“计划性牺牲”而供应紧缺,产品涨价范围也从需求暴增的HBM扩大至整个存储市场。
多位模组厂人士向记者表示,从今年一季度开始,DDR4的原厂价格持续走高。根据慢慢买App,一款金士顿(Kingston)的DDR4台式机内存条,价格从今年3月开始急速上涨,目前售价已超去年同期两倍。
手机等终端市场也对存储涨价产生反馈。23日发售的Redmi K90系列手机部分版本售价较上一代上调了100-400元不等,小米集团总裁卢伟冰对此公开表示,来自上游的成本压力,已真实的传导到了其新品定价上。他坦言,无法改变全球供应链的走势,存储成本上涨也远高于预期,且会持续加剧,但小米希望这份诚意能够让大家理解。
许家源指出,未来,DDR4供给预计将持续紧缺,至少延续至1H26。威刚董事长陈立白也在日前公开表示,看好第四季才是存储大多头的起点,也是存储严重缺货的开始,明年产业荣景可期。
对于这种情况,许家源告诉记者,不少下游厂商已经在想办法应对。其中,PC OEMs正在加速导入DDR5机种来应对,而TV、网通等Consumer领域则放缓了由DDR3转至DDR4的进程。
国内模组厂积极囤货待涨
在这轮由AI开启的行业新周期中,国内存储产业链的各环节正积极调整策略,试图扩大盈利能力并提升市场地位。
此次“超级周期”对各个生产环节影响存在明显差异。首先,对于模组厂而言,囤货成为应对涨价、确保盈利的关键。江波龙证券部人士告诉财联社记者,上游涨价对公司的毛利率有正向的贡献,因为公司提前有存货。许家源也表示,八月以来模组厂已积极储备颗粒及晶圆(wafer)库存、并调涨模组产品定价。
不过,并非所有模组厂商都采取大规模囤货的政策。朗科科技证券部人士表示,公司采取“清库存”的运营模式,库存量相对同行要少一些,因此业绩波动性会小一些。
芯片设计公司和分销商则更依靠于产业链的价格传导。
普冉股份(688076.SH)证券部人士向财联社记者表示,公司正与下游客户商谈涨价,“四季度开始有一些供给紧张,然后肯定是跟下游商谈,想要博弈去看一下是不是能有涨幅。”
分销商的香农芯创(300475.SZ)证券部人士表示,公司就分销业务而言,毛利水平基本上是稳定的,但上游采购价格上涨,分销给下游的价格也会上涨,“存储的行情影响,对我们影响更多的是量带来的变化,毛利的变化不会特别大。”
值得注意的是,国际原厂的涨价需求已传导至国内晶圆厂。国内一家存储大厂人士向财联社记者表示,国外原厂涨价令部分国产厂商转向国内晶圆厂。在这种背景下,原厂获利显著扩大已是行业共识。
最后,在这种结构性变革中,国产厂商也正加速拥抱AI新周期。
除积极扩大企业级SSD等产品的供应,国内企业正将目光聚焦于HBM、先进封装和服务器DDR5等高附加值领域,力图在国际大厂战略性调整产能之际抓住机遇。
目前,国产HBM产业链上较成熟的环节在于检测设备、先进封装等。赛腾股份(603283.SH)日前在投资者平台表示,公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货,国内市场正在积极开拓中;中微公司(688012.SH)此前也公开表示,已在先进封装领域(包含高宽带存储器HBM工艺)全面布局,包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等,且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。
此外,佰维存储日前表示,公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中,项目建设完成后将为客户提供“存储+晶圆级先进封测”一站式综合解决方案,进一步提升公司在存算整合领域的核心竞争力。
许家源预测,随着各大原厂的HBM产能释放,虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力,但新世代的HBM4具有技术门槛,仍呈供不应求态势。
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