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算力航母:英特尔展示 18A 工艺 AI 芯片,背面供电 + 垂直堆叠解决能耗瓶颈

英特尔代工服务本周发布了一份技术文档,展示了一款“AI芯片测试载具”,以验证其在先进封装领域的制造能力。测试载具是为验证制造工艺和设计思路而制造的工程样机,并非最终上市销售的产品。

算力航母:英特尔展示 18A 工艺 AI 芯片,背面供电 + 垂直堆叠解决能耗瓶颈

根据技术文档,该测试载具的系统级封装拥有8倍光罩尺寸,内部集成了4个大型逻辑计算单元、12个HBM4级别的内存堆栈以及2个I/O单元。与上月展示的概念模型不同,本次展示的方案代表了英特尔目前已实际具备的量产制造能力。

算力航母:英特尔展示 18A 工艺 AI 芯片,背面供电 + 垂直堆叠解决能耗瓶颈

在核心工艺方面,测试平台的核心逻辑单元采用了英特尔最先进的18A工艺,集成了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。在芯片互连方面,英特尔采用了EMIB-T 2.5D嵌入式桥接技术,通过在桥接器内部添加硅通孔,电力和信号不仅可以横向传输,还能实现垂直传输,从而最大化互连密度,设计支持高达32 GT/s的UCIe接口标准。

在芯片堆叠方面,英特尔将利用Foveros 3D封装技术(包括Foveros 2.5D、Foveros-R和Foveros Direct 3D)实现垂直堆叠芯粒。底层的18A-PT基础芯片位于计算芯片下方,可充当大容量缓存或处理额外任务。供电方面,英特尔将支持半集成电压调节器,并利用嵌入式同轴磁性电感器和多层电容网络,集成全套供电创新技术。与台积电CoWoS-L将电压调节器置于中介层不同,英特尔将其置于每个堆栈及封装下方,旨在应对生成式AI负载产生的瞬时电流波动,确保提供清洁、稳定的电力。

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